30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7389TRPBF is a dual N-channel HEXFET power MOSFET manufactured by Infineon Technologies.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 10A per MOSFET (at T_C = 25°C)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET at T_C = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 13mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  

### **Descriptions & Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Contains two independent MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for minimal conduction losses.  
- **High Current Handling:** Suitable for power applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage signals (V_GS = 4.5V).  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Package:** 8-Pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit).  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency switching applications.

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package