30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7389 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ @ V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W @ 25°C  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-current, low-voltage applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for efficient power conversion.  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters.  
- Robust and reliable HEXFET technology.  
- Suitable for motor control, power supplies, and battery management systems.  

This MOSFET is commonly used in automotive, industrial, and computing applications requiring high efficiency and power density.

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7389 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF7389  

### **Description:**  
The IRF7389 is a dual N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It is commonly used in synchronous buck converters, DC-DC converters, and other power-switching circuits.  

### **Key Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET** (Two MOSFETs in a single package)  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):**  
  - Typical RDS(on) (per MOSFET): 9.3 mΩ (at VGS = 10V)  
- **High Current Handling:**  
  - Continuous Drain Current (ID): 13A per MOSFET (at 25°C)  
  - Pulsed Drain Current (IDM): 52A per MOSFET  
- **Voltage Ratings:**  
  - Drain-to-Source Voltage (VDS): 30V  
  - Gate-to-Source Voltage (VGS): ±20V  
- **Fast Switching Speed:**  
  - Low gate charge (Qg) for efficient switching  
- **Low Power Loss:**  
  - Optimized for high-frequency switching applications  
- **Package:**  
  - 8-Pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit)  

### **Applications:**  
- Synchronous buck converters  
- DC-DC power supplies  
- Motor control circuits  
- Power management in computing and telecom systems  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and absolute maximum ratings, refer to the official IRF7389 datasheet.

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7389 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
- IRF7389  

### **Type:**  
- Dual N-Channel MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W (per MOSFET at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.027Ω (max) at V_GS = 10V  
  - 0.020Ω (max) at V_GS = 4.5V  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel Design:** Two MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by lower voltage signals (4.5V capable).  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Reduces switching losses.  

### **Package:**  
- **Type:** SO-8 (Small Outline 8-pin)  
- **Mounting:** Surface Mount (SMD)  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in computing and automotive systems  
- Synchronous rectification  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and does not include any additional recommendations or usage guidance.