IRF7389

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7389 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
- IRF7389  

### **Type:**  
- Dual N-Channel MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W (per MOSFET at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.027Ω (max) at V_GS = 10V  
  - 0.020Ω (max) at V_GS = 4.5V  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel Design:** Two MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by lower voltage signals (4.5V capable).  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Reduces switching losses.  

### **Package:**  
- **Type:** SO-8 (Small Outline 8-pin)  
- **Mounting:** Surface Mount (SMD)  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in computing and automotive systems  
- Synchronous rectification  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and does not include any additional recommendations or usage guidance.

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package