IRF7380QTRPBF

80V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7380QTRPBF is a dual N-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A per MOSFET (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 13mΩ (max at V_GS = 10V, I_D = 5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1250pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRF7380QTRPBF is designed for high-efficiency power switching applications. It features two N-channel MOSFETs in a single package, optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**
- **Dual N-Channel MOSFET** in a compact SO-8 package  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for improved efficiency  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This MOSFET is commonly used in DC-DC converters, motor control, power management, and other switching applications.  

(Data sourced from Infineon’s official documentation.)

80V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package