30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7379TRPBF is a dual N-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7379TRPBF  

### **Description:**  
- Dual N-Channel MOSFET in a single package.  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge and low on-resistance (RDS(on)) for improved performance.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 5.3A per MOSFET  
- **RDS(on) (Max) at VGS = 10V:** 0.042Ω  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2W per MOSFET  
- **Low Gate Charge (Qg):** 8.5nC (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Pb-Free and RoHS Compliant**  

### **Package:**  
- **Type:** 8-Pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit)  
- **Mounting:** Surface Mount  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Load Switching  

This information is based solely on manufacturer datasheets and does not include recommendations or usage guidance.