30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7379TR is a dual N-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7379TR  

### **Description:**  
The IRF7379TR is a dual N-channel HEXFET® power MOSFET in a compact SO-8 package. It is designed for high-efficiency power switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Two independent N-channel MOSFETs in a single package.  
- **Voltage Rating:** 30V (Drain-to-Source, V_DS).  
- **Current Rating:** 4.3A (Continuous Drain Current, I_D) per MOSFET.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 45mΩ (max) at V_GS = 10V.  
  - 55mΩ (max) at V_GS = 4.5V.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Gate Charge (Q_g):** Low gate charge for improved efficiency.  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount).  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 4.5V gate drive.  
- **Applications:**  
  - DC-DC converters.  
  - Motor control.  
  - Power management in portable devices.  
  - Load switching.  

### **Datasheet Reference:**  
For detailed specifications, refer to the official Infineon datasheet for IRF7379TR.  

(Note: Always verify with the latest datasheet for updated specifications.)

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package