IRF7379QTRPBF

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package The IRF7379QTRPBF is a dual N-channel and P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Configuration:** Dual N-Channel and P-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 4.3A  
  - P-Channel: -3.7A  
- **R_DS(on) (Max @ V_GS):**  
  - N-Channel: 0.055Ω @ 10V  
  - P-Channel: 0.1Ω @ -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** 8-Pin SOIC  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  
- Optimized for synchronous buck converters and other power management applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

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30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package