30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package The IRF7379QPBF is a dual N-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Configuration:** Dual N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A per MOSFET (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 38mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 45mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 540pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 130pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 45pF (typical)  
- **Switching Characteristics:**  
  - Turn-On Delay Time (t_d(on)): 10ns (typical)  
  - Turn-Off Delay Time (t_d(off)): 30ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** PQFN (Power Quad Flat No-Lead)  
- **Pin Count:** 8  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- **High Efficiency:** Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Dual MOSFET:** Two N-channel MOSFETs in a single package, saving board space.  
- **Logic Level Gate Drive:** Compatible with 4.5V gate drive for ease of use.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robustness against inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management  
- Synchronous rectification  
- Load switching  

This information is strictly factual and sourced from the manufacturer's datasheet.