30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package designed and qualified for the industrial market The IRF7379ITRPBF is a dual N-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7379ITRPBF  

### **Description:**  
- Dual N-Channel MOSFET in a single package.  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Optimized for synchronous buck converters and other switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A per MOSFET  
- **R_DS(on) (Max):** 45mΩ at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W per MOSFET  
- **Low Gate Charge (Q_G):** Enhances switching efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Improves ruggedness in inductive load applications.  
- **Package:** 8-Pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit).  

### **Applications:**  
- Synchronous rectification in DC-DC converters.  
- Power management in computing and telecom systems.  
- Motor control and battery-powered applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for factual accuracy.