IRF7379

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7379 is a dual N-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A per MOSFET  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 21A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W per MOSFET  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 480pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 34ns  
- **Rise Time (t_r):** 9ns  
- **Fall Time (t_f):** 12ns  

### **Descriptions:**  
- The IRF7379 consists of two independent N-channel MOSFETs in a single package.  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Optimized for low gate drive requirements.  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Two MOSFETs in one package for space-saving designs.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 5V logic in some cases.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package