IC Phoenix logo

Home ›  I  › I27 > IRF7353D1TRPBF

IRF7353D1TRPBF from IOR,International Rectifier

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

IRF7353D1TRPBF

Manufacturer: IOR

30V FETKY

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7353D1TRPBF IOR 35000 In Stock

Description and Introduction

30V FETKY The IRF7353D1TRPBF is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies.  

### **Specifications:**  
- **Configuration:** Dual N-Channel and P-Channel  
- **Drain-Source Voltage (VDS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Continuous Drain Current (ID):**  
  - N-Channel: 6.3A  
  - P-Channel: -5.3A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - N-Channel: 40mΩ (at VGS = 10V)  
  - P-Channel: 80mΩ (at VGS = -10V)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Optimized for synchronous buck converter applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Avalanche energy rated for ruggedness.  

This MOSFET is commonly used in DC-DC converters, motor control, and power management circuits.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7353D1TRPBF IR 6995 In Stock

Description and Introduction

30V FETKY The IRF7353D1TRPBF is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7353D1TRPBF  

### **Description:**  
- Dual N-channel and P-channel MOSFET in a single package.  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Suitable for synchronous buck converters, DC-DC converters, and motor control.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):**  
  - N-channel: 30V  
  - P-channel: -30V  
- **Continuous Drain Current (ID):**  
  - N-channel: 7.5A  
  - P-channel: -6.5A  
- **RDS(on) (Max at VGS = 10V):**  
  - N-channel: 0.045Ω  
  - P-channel: 0.075Ω  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching.  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses.  
- Optimized for high-frequency switching applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips