30V FETKY The IRF7353D1TR is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF7353D1TR is a dual MOSFET in a compact SO-8 package, combining one N-channel and one P-channel MOSFET. It is designed for high-efficiency power switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Dual MOSFET Configuration:**  
  - One N-channel MOSFET (30V, 5.3mΩ typical R_DS(on))  
  - One P-channel MOSFET (-30V, 9.5mΩ typical R_DS(on))  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-channel: 5.3mΩ (typical) at V_GS = 10V  
  - P-channel: 9.5mΩ (typical) at V_GS = -10V  
- **High Current Handling:**  
  - N-channel: 30A (continuous drain current)  
  - P-channel: -24A (continuous drain current)  
- **Voltage Ratings:**  
  - Drain-to-Source Voltage (V_DSS): ±30V  
- **Fast Switching Performance:**  
  - Optimized for high-speed switching applications  
- **Package:**  
  - SO-8 (Surface Mount)  
- **Applications:**  
  - Synchronous rectification  
  - DC-DC converters  
  - Motor control  
  - Power management in portable devices  

### **Additional Specifications:**  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-channel: 1.0V (min), 2.35V (max)  
  - P-channel: -1.0V (min), -2.35V (max)  
- **Power Dissipation:**  
  - 2.5W (per MOSFET)  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IRF7353D1TR. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the manufacturer's documentation.