30V FETKY The IRF7353D1 is a dual N-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.7A per MOSFET (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 39A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W per MOSFET (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
  - 0.035Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1050pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 65pF (typical)  
- **Switching Characteristics:**  
  - Turn-On Delay Time (t_d(on)): 12ns (typical)  
  - Turn-Off Delay Time (t_d(off)): 30ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF7353D1 is a dual N-channel MOSFET in a single package, designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for synchronous buck converters, DC-DC converters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET** in a single package  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Optimized for High-Frequency Switching**  
- **Low Gate Charge** for fast switching performance  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Package:**  
- **8-Pin SOIC (Dual)**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.