60V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7351 is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Descriptions:**  
- The IRF7351 is a dual MOSFET combining a high-speed N-channel and P-channel MOSFET in a single package.  
- Designed for power management applications, including synchronous buck converters and motor control.  
- Features low on-resistance and high switching efficiency.  

### **Key Specifications:**  
- **N-Channel MOSFET:**  
  - Drain-Source Voltage (V_DSS): 55V  
  - Continuous Drain Current (I_D): 6.5A  
  - On-Resistance (R_DS(on)): 0.065Ω (max) @ V_GS = 10V  
  - Gate-Source Voltage (V_GS): ±20V  

- **P-Channel MOSFET:**  
  - Drain-Source Voltage (V_DSS): -55V  
  - Continuous Drain Current (I_D): -5.3A  
  - On-Resistance (R_DS(on)): 0.11Ω (max) @ V_GS = -10V  
  - Gate-Source Voltage (V_GS): ±20V  

### **Features:**  
- **Dual MOSFET Design:** Integrated N-channel and P-channel for compact circuit design.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load applications.  
- **Package:** 8-lead SOIC (Small Outline IC).  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

60V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package