-55V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7342TR is a dual N-channel and P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies.  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Package:** SO-8  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  

### **Electrical Characteristics:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 6.5A  
  - P-Channel: -5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):**  
  - N-Channel: 26A  
  - P-Channel: -21A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:**  
  - N-Channel: 0.055Ω  
  - P-Channel: 0.11Ω  

### **Features:**  
- Dual N- and P-Channel MOSFET in a single package  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- Avalanche rugged  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management circuits  
- Battery-powered applications  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF7342TR.

-55V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package