HEXFET? Power MOSFET (VDSS = -55V , RDS(on) = 0.105Ω) The IRF7342PBF is a dual N-channel and P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
- The IRF7342PBF is a dual MOSFET combining one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  

### **Key Features:**  
- **N-Channel MOSFET:**  
  - Drain-Source Voltage (V_DSS): 55V  
  - Continuous Drain Current (I_D): 6.5A  
  - R_DS(on) (Max): 0.055Ω @ V_GS = 10V  
  - Gate-Source Voltage (V_GS): ±20V  

- **P-Channel MOSFET:**  
  - Drain-Source Voltage (V_DSS): -55V  
  - Continuous Drain Current (I_D): -5.3A  
  - R_DS(on) (Max): 0.11Ω @ V_GS = -10V  
  - Gate-Source Voltage (V_GS): ±20V  

- **Common Features:**  
  - Low gate charge  
  - Fast switching speed  
  - Avalanche energy specified  
  - Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- 8-Pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit)  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in portable devices  
- Battery protection circuits  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IRF7342PBF.

HEXFET? Power MOSFET (VDSS = -55V , RDS(on) = 0.105Ω)