55V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7341TR is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 4.3A  
  - P-Channel: -3.7A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.06Ω (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 0.12Ω (at V_GS = -10V)  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual MOSFET:** Contains both N-channel and P-channel MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic Level Gate Drive:** Can be driven by standard logic-level signals.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and battery-powered systems.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

55V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package