Trench Technology The IRF7329TRPBF is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Configuration:** Dual N-Channel and P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.3A  
  - P-Channel: -4.3A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 50mΩ (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 100mΩ (at V_GS = -10V)  
- **Package:** 8-Pin SOIC  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Optimized for synchronous buck converters and motor control.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Logic-level gate drive compatibility.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRF7329TRPBF.

Trench Technology

Trench Technology The IRF7329TRPBF is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by Infineon Technologies.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.7A  
  - P-Channel: -4.3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 1.0V to 2.5V  
  - P-Channel: -0.4V to -1.5V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.045Ω (max @ V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 0.11Ω (max @ V_GS = -10V)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Features:**  
- Dual N-Channel and P-Channel MOSFET in a single package  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Optimized for synchronous buck converters  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, motor control, and load switching.

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