### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.5A  
  - P-Channel: -4.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.055Ω (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 0.11Ω (at V_GS = -10V)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual MOSFET:** Combines one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances efficiency in power management circuits.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with standard logic-level signals.  
- **Avalanche Rated:** Provides robustness in rugged operating conditions.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power management, and battery protection circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed specifications, refer to the official documentation.