-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7324TR is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by Infineon Technologies.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.5A  
  - P-Channel: -4.3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 85mΩ (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 140mΩ (at V_GS = -10V)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual MOSFET Configuration:** Combines one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load switching.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V and 10V drive signals.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and battery-powered systems.  

The IRF7324TR is designed for efficiency and compactness in power switching applications.

-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package