### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 6.3A  
  - P-Channel: -5.3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 45mΩ (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 90mΩ (at V_GS = -10V)  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- Dual MOSFET (N-Channel + P-Channel) in a single package.  
- Optimized for high-efficiency power management applications.  
- Low gate charge for fast switching.  
- Logic-level gate drive compatibility.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet.