30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7313QTRPBF is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Configuration:** Dual N-Channel and P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.3A  
  - P-Channel: -4.3A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:**  
  - N-Channel: 0.045Ω  
  - P-Channel: 0.075Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual MOSFET Design:** Combines both N-Channel and P-Channel MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  
- **Avalanche Rated:** Provides ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, motor control, and battery-powered applications.

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7313QTRPBF is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7313QTRPBF  

### **Description:**  
The IRF7313QTRPBF is a dual MOSFET combining one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package. It is designed for power management applications, providing efficient switching performance in a compact form factor.  

### **Key Features:**  
- **Dual MOSFET Configuration:**  
  - One N-channel MOSFET  
  - One P-channel MOSFET  
- **Voltage Ratings:**  
  - N-channel: 30V (V_DSS)  
  - P-channel: -30V (V_DSS)  
- **Current Ratings:**  
  - N-channel: 5.5A (I_D)  
  - P-channel: -4.3A (I_D)  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-channel: 0.045Ω (typical at V_GS = 10V)  
  - P-channel: 0.085Ω (typical at V_GS = -10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-channel: 1.0V to 2.5V  
  - P-channel: -1.0V to -2.5V  
- **Fast Switching Speed:**  
  - Optimized for high-efficiency power applications  
- **Package:**  
  - 8-Pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit)  
- **Applications:**  
  - DC-DC converters  
  - Power management in portable devices  
  - Motor control  
  - Battery protection circuits  

### **Additional Notes:**  
- RoHS compliant  
- Lead-free packaging  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product documentation. For detailed electrical characteristics and application guidelines, refer to the official datasheet from Infineon Technologies.

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package