20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7311TRPBF is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by Infineon Technologies.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 20V  
  - P-Channel: -20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.3A  
  - P-Channel: -4.3A  
- **R_DS(on)GS):**  
  - N-Channel: 0.045Ω @ 10V  
  - P-Channel: 0.075Ω @ -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description & Features:**  
- **Dual MOSFET Configuration:** Combines one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V logic signals.  
- **Package:** 8-Pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit).  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and battery-powered systems.  

This MOSFET is designed for high-performance, low-loss switching in compact designs.

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package