-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7306TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7306TR  

### **Description:**  
The IRF7306TR is a dual N-channel MOSFET in a single package, designed for high-efficiency power management applications.  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Two independent N-channel MOSFETs in one package.  
- **Voltage Rating:** 30V (V_DSS).  
- **Current Rating:** 5.5A (I_D) per MOSFET.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (typical) at V_GS = 10V.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Gate Charge (Q_g):** Low gate charge for efficient switching.  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount).  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V and 10V gate drive signals.  
- **Applications:** Power supplies, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A per MOSFET  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package