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IRF710PBF from IR,International Rectifier

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IRF710PBF

Manufacturer: IR

HEXFET? Power MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF710PBF IR 17100 In Stock

Description and Introduction

HEXFET? Power MOSFET The IRF710PBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRF710PBF is a high-voltage, N-channel power MOSFET designed for switching applications. It is optimized for high-speed performance and low gate drive requirements.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (VDSS):** 400V  
- **Current Rating (ID):** 3.7A (continuous at 25°C)  
- **RDS(on) (Drain-Source On-Resistance):** 1.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 40W (at 25°C)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Low Gate Charge (Qg)**  
- **Low Input Capacitance (Ciss)**  
- **TO-220AB Package**  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- High-voltage power switching  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF710PBF.

Application Scenarios & Design Considerations

HEXFET? Power MOSFET
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF710PBF VISHAY 14995 In Stock

Description and Introduction

HEXFET? Power MOSFET The IRF710PBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRF710PBF  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 3.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 13A  
- **Power Dissipation (PD):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.5Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 35pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF710PBF is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (400V)**  
- **Low On-Resistance (1.5Ω max @ 10V)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-220AB Package for Easy Mounting**  

This information is based solely on the provided knowledge base. No additional guidance or suggestions are included.

Application Scenarios & Design Considerations

HEXFET? Power MOSFET

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