HEXFET Power MOSFET The IRF7104PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF7104PBF is a dual N-channel and P-channel MOSFET in a single package, designed for high-efficiency power switching applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
  - N-Channel: 40V  
  - P-Channel: -40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 4.3A  
  - P-Channel: -3.6A  
- **R_DS(on)GS = 10V):**  
  - N-Channel: 0.055Ω  
  - P-Channel: 0.16Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Features:**  
- Dual N-Channel and P-Channel MOSFET in one package  
- Low gate charge for fast switching  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

HEXFET Power MOSFET