50V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7103QPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7103QPBF  

### **Description:**  
The IRF7103QPBF is a dual N-channel and P-channel MOSFET in a single package, designed for power management applications. It is part of the HEXFET® Power MOSFET family, optimized for high efficiency and reliability.  

### **Key Features:**  
- **Dual MOSFET Configuration:**  
  - One N-channel MOSFET  
  - One P-channel MOSFET  
- **Voltage Ratings:**  
  - N-channel: 30V (V_DSS)  
  - P-channel: -30V (V_DSS)  
- **Current Ratings:**  
  - N-channel: 3.7A (I_D)  
  - P-channel: -2.7A (I_D)  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-channel: 0.045Ω (typical at V_GS = 10V)  
  - P-channel: 0.11Ω (typical at V_GS = -10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):**  
  - ±20V (maximum)  
- **Fast Switching Speed:**  
  - Optimized for high-frequency applications  
- **Package:**  
  - 8-Pin DIP (PDIP)  

### **Applications:**  
- Power management in DC-DC converters  
- Motor control circuits  
- Battery protection systems  
- Load switching  

### **Technology:**  
- HEXFET® MOSFET technology  
- Low gate charge for efficient switching  

This information is based solely on manufacturer specifications. For detailed datasheets, refer to Infineon Technologies' official documentation.

50V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package