50V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7103Q is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.022Ω (at V_GS = 10V, I_D = 6A)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PQFN 5x6  

### **Descriptions:**  
- The IRF7103Q is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching applications.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved efficiency.  
- Optimized for high-frequency switching.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Enhanced thermal performance due to the PQFN package.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.