2.0A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET The IRF710 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 13A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- Low gate charge for improved switching performance.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  
- TO-220AB package for efficient thermal management.  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

These details are based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.

2.0A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET