A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 28 amperes optimized with low on resistance. The IRF6725MTRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6725MTRPBF  

### **Description:**  
N-Channel Power MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 71A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 280A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 3.3mΩ  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 4.5mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology** for low R_DS(on) and high efficiency.  
- **Fast Switching Performance** for improved power conversion.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  
- **TO-252 (DPAK) Package** for surface-mount applications.  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management in Computing & Telecom  
- Battery Protection Circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to Infineon's official documentation.

A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 28 amperes optimized with low on resistance.