A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 17 amperes optimized with low on resistance. The IRF6712STR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6712STR1PBF  

### **Description:**  
The IRF6712STR1PBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is part of Infineon’s HEXFET® Power MOSFET series, optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for low conduction losses  
- Optimized for high current applications  
- Fast switching performance  
- Low gate charge for improved efficiency  
- RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching applications.  

For detailed datasheet information, refer to Infineon’s official documentation.

A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 17 amperes optimized with low on resistance.

A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 17 amperes optimized with low on resistance. The IRF6712STR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6712STR1PBF  

### **Description:**  
- N-Channel Power MOSFET  
- Designed for high-efficiency power management applications  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **R_DS(on) (Max):** 6.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- **Type:** D2PAK (TO-263)  
- **Termination:** Surface Mount (SMD)  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation from Infineon Technologies.

A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 17 amperes optimized with low on resistance.