20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET with integrated monolithic Schottky diode in a DirectFET package The IRF6691 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Key Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.3mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF6691 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for applications requiring low on-resistance and high switching efficiency. It is optimized for use in power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability.  
- **Low R_DS(on)** minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  

The device is available in a TO-220AB package for easy mounting and thermal management.  

For detailed application notes and test conditions, refer to the official IR datasheet.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET with integrated monolithic Schottky diode in a DirectFET package