Leaded A 30V N-channel HEXFET Power MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MX package rated at 150 amperes. The IRF6678TR1 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** IRF6678TR1  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 40V  
- **Current Rating (ID):** 195A (continuous)  
- **RDS(ON) (Max):** 1.7mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 330W  
- **Package:** TO-220AB  
- **Technology:** HEXFET®  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (RDS(ON)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- High current handling capability.  
- Robust and reliable HEXFET® technology.  
- Suitable for automotive, industrial, and power supply applications.  

This information is based on Infineon's datasheet and product documentation.

Leaded A 30V N-channel HEXFET Power MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MX package rated at 150 amperes.

Leaded A 30V N-channel HEXFET Power MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MX package rated at 150 amperes. The IRF6678TR1 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF6678TR1 is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance (RDS(on)), making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-performance applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 180A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 720A  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.2mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V (max)  
- **Total Gate Charge (Qg):** 150nC (typ)  
- **Power Dissipation (PD):** 300W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low RDS(on) and high current handling.  
- **Fast Switching:** Low gate charge (Qg) ensures efficient high-frequency operation.  
- **Low Conduction Losses:** Minimized RDS(on) improves power efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust performance under transient conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

### **Package:**  
- **TO-220AB (Through-Hole Package)**  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor drives, and synchronous rectification applications.  

(Note: Always refer to the latest datasheet from Infineon for precise details.)

Leaded A 30V N-channel HEXFET Power MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MX package rated at 150 amperes.