A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 180 amperes. The IRF6635TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 110A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 440A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.7mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 5800pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 1500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 200pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Technology:** Advanced TrenchFET® technology  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Rated:** Robust performance under harsh conditions  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and synchronous rectification  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 180 amperes.