A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 57 amperes. The IRF6631 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
- IRF6631  

### **Description:**  
- The IRF6631 is a **N-Channel HEXFET Power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 50A (continuous) at 25°C  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ at V_GS = 10V  
- **R_DS(on) (Max):** 6.0mΩ at V_GS = 4.5V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 45nC (typical)  
- **Avalanche Energy Rated (E_AS):** 100mJ  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Drive Requirements**  
- **Optimized for Synchronous Buck Converters**  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Package)  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Synchronous Rectification  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications. For exact performance characteristics, refer to the official IR datasheet.

A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 57 amperes.