Leaded A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET ST package rated at 72 amperes. The IRF6626TR1 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 180A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 720A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.6mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Description:**  
The IRF6626TR1 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and amplification in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF6626TR1.

Leaded A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET ST package rated at 72 amperes.