A 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET ST package rated at 55 amperes. The IRF6623TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF6623TR1PBF  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 10V:** 5.5mΩ  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 4.5V:** 7.5mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6 (PowerQFN)  

### **Description:**  
The IRF6623TR1PBF is a high-performance N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Improved thermal performance due to PowerQFN package  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.