20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6623TR1 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6623TR1  

### **Description:**  
The IRF6623TR1 is a N-channel HEXFET power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-state resistance (RDS(on)) and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 200A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 4.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Power Dissipation (PD):** 79W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency switching applications.