20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6623 is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6623  

### **Description:**  
The IRF6623 is a N-channel HEXFET Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-state resistance (R_DS(on)) and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management  
- Synchronous rectification  

### **Additional Notes:**  
- Low gate charge for improved switching efficiency  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IRF6623. For detailed specifications, refer to the manufacturer's documentation.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package