A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 59 amperes. The IRF6622TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 28A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 112A  
- **R_DS(on) (Max):** 8.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D²PAK (TO-263-3)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Low gate charge and fast switching.  
- **Avalanche Energy Specified:** Improved ruggedness.  
- **Fully Characterized Dynamic dV/dt Rating:** Ensures reliable performance.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRF6622TRPBF.