A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 55 amperes. The IRF6621TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6621TR1PBF  

### **Description:**  
The IRF6621TR1PBF is a N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® MOSFET  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 15A)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at T_C = 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D²PAK (TO-263-3)  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching capability  
- High current handling  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, motor control, and load switching.  

(Note: All details are sourced from Infineon's official datasheet for the IRF6621TR1PBF.)