Leaded A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 55 amperes. The IRF6621-TR1 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6621-TR1  

### **Description:**  
The IRF6621-TR1 is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- Optimized for high-efficiency DC-DC converters  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Available in a TO-252 (DPAK) package  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.