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IRF6620TR1PBF from IR,International Rectifier

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IRF6620TR1PBF

Manufacturer: IR

A 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 150 amperes.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF6620TR1PBF IR 10603 In Stock

Description and Introduction

A 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 150 amperes. The IRF6620TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6620TR1PBF  

### **Description:**  
The IRF6620TR1PBF is an N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power management in various electronic systems.  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 5.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 21A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.45Ω (at VGS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Qg):** 9.5nC (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 38W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Optimized for high-efficiency power conversion  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF6620TR1PBF IOR 184 In Stock

Description and Introduction

A 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 150 amperes. The IRF6620TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** IRF6620TR1PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 24A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 96A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 6.5mΩ (at VGS = 10V, ID = 12A)  
- **Power Dissipation (PD):** 45W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **Fast Switching:** Designed for high-speed switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged applications.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Includes gate charge and switching characteristics for reliable performance.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power management, and other high-current switching applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF6620TR1PBF IR 566 In Stock

Description and Introduction

A 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 150 amperes. The IRF6620TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6620TR1PBF  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 160A  
- **RDS(on) (Max) @ VGS = 10V:** 4.5mΩ  
- **RDS(on) (Max) @ VGS = 4.5V:** 6.0mΩ  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 48W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
D2PAK (TO-263-3)  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on))  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Power management in DC-DC converters  
- Motor control  
- Battery protection circuits  
- Synchronous rectification  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IRF6620TR1PBF.

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