IRF6620TR1PBF

A 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 150 amperes. The IRF6620TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** IRF6620TR1PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 24A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 96A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 12A)  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **Fast Switching:** Designed for high-speed switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged applications.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Includes gate charge and switching characteristics for reliable performance.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power management, and other high-current switching applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

A 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 150 amperes.