20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6620TR1 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF6620TR1  

### **Description:**  
The IRF6620TR1 is a N-channel HEXFET power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power management in various electronic systems.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 45nC (typical)  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- **Type:** D2PAK (TO-263)  
- **Termination:** Surface Mount  

This MOSFET is commonly used in DC-DC converters, motor control, and power supply applications.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for detailed specifications and application guidelines.)