20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6620 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **IRF6620 Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 8.5nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  

### **Descriptions & Features:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Applications:**  
  - Switching power supplies  
  - Motor control  
  - DC-DC converters  
  - General-purpose power switching  
- **Key Features:**  
  - Low on-resistance  
  - High-speed switching  
  - Improved dv/dt capability  
  - Avalanche energy specified  
  - Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6620 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its IOR specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF6620  

### **Description:**  
The IRF6620 is a **N-channel** power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance (R_DS(on)), making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power switching applications.  

### **Features:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Avalanche Energy Rated (E_AS):** 150mJ  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Switching Regulators  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product specifications. For detailed performance curves and application notes, refer to the official Infineon documentation.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package