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IRF6620 from IR,International Rectifier

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15.625ms

IRF6620

Manufacturer: IR

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF6620 IR 218 In Stock

Description and Introduction

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6620 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **IRF6620 Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 45W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.65Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate Charge (Qg):** 8.5nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 15pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  

### **Descriptions & Features:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Applications:**  
  - Switching power supplies  
  - Motor control  
  - DC-DC converters  
  - General-purpose power switching  
- **Key Features:**  
  - Low on-resistance  
  - High-speed switching  
  - Improved dv/dt capability  
  - Avalanche energy specified  
  - Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF6620 IOR 642 In Stock

Description and Introduction

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6620 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its IOR specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF6620  

### **Description:**  
The IRF6620 is a **N-channel** power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance (RDS(on)), making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power switching applications.  

### **Features:**  
- **Voltage Rating (VDSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 5.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 22A  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.35Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 12nC (typical)  
- **Avalanche Energy Rated (EAS):** 150mJ  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Switching Regulators  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product specifications. For detailed performance curves and application notes, refer to the official Infineon documentation.

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