IRF6620

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6620 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **IRF6620 Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 8.5nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  

### **Descriptions & Features:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Applications:**  
  - Switching power supplies  
  - Motor control  
  - DC-DC converters  
  - General-purpose power switching  
- **Key Features:**  
  - Low on-resistance  
  - High-speed switching  
  - Improved dv/dt capability  
  - Avalanche energy specified  
  - Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package