A 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 150 amperes. The IRF6619TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6619TR1PBF  

### **Description:**  
The IRF6619TR1PBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.8mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Optimized for synchronous buck converters and motor control applications  

### **Package:**  
- **Package Type:** PQFN 5x6mm  
- **Termination:** Surface Mount (SMD)  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRF6619TR1PBF.