**Part Number:** IRF6618TRPBF  

**Specifications:**  
- **Technology:** MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)  
- **Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10V:** 4.5mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN (5x6mm)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

**Descriptions and Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for high efficiency.  
- Optimized for high-current, high-performance applications.  
- Fast switching performance.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Suitable for synchronous buck converters, motor control, and power management applications.  
- Enhanced thermal performance due to advanced package design.  

(Source: Manufacturer datasheet and specifications.)