A 30V N-channel HEXFET Power MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT package rated at 150 amperes. The IRF6618TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF6618TR1PBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- **Type:** PQFN 5x6mm  
- **Termination:** Surface Mount (SMD)  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF6618TR1PBF.