30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6618 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 5.0mΩ  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 7.0mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (4.5V).  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power supplies, and synchronous rectification.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package