A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package rated at 52 amperes. The IRF6617TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF6617TR1PBF  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.7mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 50A)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** PQFN (5x6mm)  
- **Termination:** Lead-Free, RoHS Compliant  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for high efficiency  
- Optimized for high current applications  
- Fast switching performance  
- Enhanced thermal characteristics  
- Suitable for synchronous buck converters and motor control  

This MOSFET is commonly used in power management applications, DC-DC converters, and high-current switching circuits.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise and updated specifications.)