30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6617 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF6617  

### **Description:**  
The IRF6617 is a N-channel HEXFET Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 440A  
- **R_DS(on) (Max @ V_GS = 10V):** 1.8mΩ  
- **R_DS(on) (Max @ V_GS = 4.5V):** 2.5mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1100mJ  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Synchronous Rectification  

### **Additional Notes:**  
- Low gate charge for improved switching efficiency  
- Advanced process technology for reduced conduction losses  
- Fully characterized for avalanche energy and dv/dt capability  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed specifications, refer to the official IRF6617 datasheet.